★ 오늘의 뉴스  Headline은 SK하이닉스(대표 이석희)는 3세대 10나노급(1z) 

미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR4 D램을 개발했다는 소식을 꼽을 수

있겠습니다.

ㅇ SK하이닉스에 따르면 이 제품은 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 

구현하고 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존 D램 중 가장 크다고 

밝히고 연내 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 출하할 계획이라고 전했습니다.

ㅇ 특히, 이 제품은 극자외선(EUV) 공정 없이도 생산할 수 있게 해 원가 경쟁력을 

확보했고, 2세대 10나노급(1y) 제품 대비 생산성은 약 27% 향상됐다고 밝혔습니다.

ㅇ 또한 데이터 전송 속도도 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 

지원하며 전력 소모량은 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 40% 

적다고 밝혔습니다.

ㅇ 특히 이 3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신소재를 적용, 

D램 동작의 핵심 요소인 정전용량(Capacitance)을 극대화했으며, 또한 새로운 

설계 기술을 도입해 동작 안정성도 높였다고 전했습니다. 

ㅇ 이정훈 D램개발사업 1z TF장 담당은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 

최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰, 고성능·고용량 D램을 찾는 

고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라고 전했습니다.

ㅇ 한편, 삼성전자는 3세대 10나노급 8Gb DDR4 D램 개발에 성공해 9월부터 

양산에 들어갔으며, 글로벌 D램 시장 3위인 미국 마이크론도 지난 8월 10나노대 

중반의 16Gb DDR4 D램을 대량 양산한다고 발표한 바 있습니다.

ㅇ 그러나 칩 하나가 구현하는 용량은 마이크론과 SK하이닉스의 제품이 

동일하지만, SK하이닉스의 신제품이 마이크론 D램에 비해 칩 크기가 작은 

것으로 알려졌으며 이에 따라 웨이퍼 한 장에서 뽑아낼 수 있는 용량은 

SK하이닉스가 업계 최대 수준이라는 평가가 나오고 있습니다..

ㅇ 한편, SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 

다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획

이라고 밝혔습니다.

□ 다음 소식은 올해 세계 반도체 시장에서 한국 반도체 업체들만 울고 있다는

소식으로 3분기 실적이 삼성 -77%, 하이닉스 -92%로 추정되는 반면, 비메모리 

수요는 영향을 적게 받아 TSMC는 영업이익 4兆, 인텔이7兆가 될 것이라는 

전망입니다.

ㅇ 20일 반도체 업계에 따르면, 세계 메모리 반도체 1·2위인 삼성전자와 

SK하이닉스는 올 3분기 반도체 분야 영업이익이 최대 10분의 1 이하로 

떨어졌지만, 비(非)메모리 분야의 강자인 미국 인텔과 대만 TSMC는 이익 

감소액이 10%대에 그치거나 오히려 대폭 상승할 것으로 전망되고 있습니다.

ㅇ 세계 파운드리(반도체 위탁생산) 시장 1위 기업인 TSMC는 지난 17일 

3분기 실적 발표를 통해 매출 94억달러, 영업이익 35억달러를 기록했다고 

밝히고 이는 전년 동기 대비 매출은 10.6%, 영업이익은 13% 늘어난 것으로, 

분기 기준으로 역대 최고 실적입니다. 이는 TSMC는 미국