▣ 오늘의 KOVRA 핵심 NEWS(상세 내용 붙임 참조)
□ 오늘의 헤드라인
① 삼성, 中시안 공장 공정 전환…2025년 236단 낸드로 교체 (전자 박종진 기자) 1p
삼성전자가 중국 시안 낸드플래시 공장 전환에 나선다. 현재 생산 중인 128단(V6) 낸드플래시 라인을 236단(V8)으로 업그레이드 한다.
미국 정부의 반도체 장비 반입 규제가 해소돼 이뤄진 투자다. 평택에 이어 시안까지, 세계 최대 낸드플래시 업체인 삼성전자의 선단공정 전환이 빨라지고 있다.
2일 업계에 따르면 삼성전자는 중국 시안 공장을 128단에서 236단 공정으로 전환하기로 결정했다.
내년 초부터 장비 교체를 시작하기로 하고 관련 업계에 통보했다. 2025년까지 공정 전환이 목표다.
반도체 업계 관계자는 “236단 낸드로 전환한다 해도 전체 장비를 바꾸는 것이 아니라 일부를 업그레이드하면 돼 교체를 최소화할 수 있다는 장점이 있다”며 “D램보다 낸드가 더 침체돼 있지만 최선단 낸드는 수요가 계속 늘어난다는 점을 고려한 것”이라고 말했다.
삼성전자가 시안공장에서 236단을 어느 정도 생산할지 구체적인 생산능력(CAPA)은 확인되지 않았다.
적층 수가 300단 안팎인 V9 생산 가능성도 염두에 두고 있는 것으로 보인다.
② TSMC 인재 영입, 옛 장비 활용…中 반도체, ‘잇몸’으로 美 제재 뚫다 (조선 임경업 기자) 3p
中반도체 232단 낸드·7나노 성공
중국 최대 메모리 반도체 회사 YMTC(양쯔메모리테크놀로지)가 세계 최고 수준인 232단 낸드플래시 양산에 성공했다.
홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)는 캐나다 반도체 분석 업체 테크인사이츠 분석을 인용해 “지난 7월 출시된 중국 SSD(대용량 저장 장치)에 YMTC가 제조한 232단 낸드플래시가 탑재됐다”고 했다.
미국이 지난해 10월 128단 이상 낸드플래시 제조 장비를 중국에 판매하는 것을 금지한 상황에서 200단의 벽을 뚫은 것이다.
중국의 232단 낸드플래시는 SK하이닉스 낸드플래시 최신 제품(238단)과 삼성전자(236단 추정)를 턱밑까지 쫓아온 수준이다.
지난 9월엔 중국 최대 파운드리(반도체 위탁 생산) 기업 SMIC가 7나노(nm·1나노는 10억분의 1m) 공정을 이용한 스마트폰 반도체를 생산해 화웨이 최신 스마트폰에 탑재했다.
10나노 이하 첨단 반도체 공정에 필수적으로 여겨지던 EUV(극자외선) 노광 장비 수입이 미국의 제재로 막혀 있는 상황에서 7나노 공정에 성공한 것이다.
린번젠 전 TSMC 부회장은 최근 “중국은 구형 장비로 5나노 공정도 성공할 것”이라며 “미국의 쓸데없는 제재는 중국의 반도체 굴기를 막을 수 없다”고 했다.
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