● 인도와 대만이 자유무역협정(FTA)과 인도 도시에 반도체 제조 거점을 설립하기
위한 협상을 시작함에 따라 양국간 경제협력을 더욱 확대하겠다는 결의를 내비쳤다.
● 인도 정부는 이미 다수의 공장 부지를 제안했으며 대만 반도체제조회사(TSMC),
유나이티드마이크로일렉트로닉스사(UMC) 등 대만의 대표
③ 삼성·SK, 반도체 초격차 ‘최고 속도·최대 용량’으로 이어간다(조선 박진우기자 ) 5p
삼성, 가장 세밀한 14나노급 D램 선보여
자동차 SSD·메모리도 격차 벌려
SK하이닉스, DDR5 이어 최대 용량 D램 발표
D램과 관련된 온갖 부정적 전망에도 메모리 반도체 시장 세계 1·2위인 삼성전자와
SK하이닉스 등 K반도체가 초격차 기술로 난관을 뚫고 있다.
3위인 미국 마이크론과의 기술 격차를 더욱 넓혀 차세대 메모리 반도체 경쟁에서도
확실한 비교우위에 서겠다는 게 이들의 전략이다.
삼성전자는 최근 극자외선(EUV) 노광 공정을 적용한 업계 최선단(가장 미세한 회로를 뜻함)
14㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) D램 양산에 돌입했다.
노광 공정은 반도체 원판(웨이퍼) 위에 빛을 이용해 회로를 그리는 공정으로, 회로가 미세할수록
같은 12인치(300㎜) 웨이퍼일지라도 생산되는 반도체 숫자가 늘어난다.
생산효율을 크게 높일 수 있다는 이야기다. 또 미세공정으로 인해 반도체 소자인 트랜지스터
크기가 작아지고, 전압이 낮아지면서 전력소모가 줄어든다.
업계 관계자는 “10㎚급 미세공정 1~3세대(1x·1y·1z)까지 각 세대는 0.5㎚의 간극이 있었지만,
4세대 1a 공정부터는 0.1㎚ 싸움이 되고 있다”라며 “0.1㎚ 차이라도 웨이퍼당 집적도,
공정 단계 숫자, 원가 등에서 차이가 있기 때문에 사업 경쟁력 측면에서 큰 차이가 생길 수 있다”라고 했다.
1a 공정은 마이크론이 업계 최초로 양산을 시작했다고 밝혔으나, 업계는 14㎚ 후반대의 회로 선폭(線幅)을
가지고 있는 것으로 알려졌다. 역시 1a 공정에 들어간 SK하이닉스의 경우 14.8㎚로 추정된다.
삼성전자의 14㎚ D램은 이전 세대 공정과 비교해 생산성은 20% 높고, 소비전력은 20% 낮다.
해당 기술은 차세대 D램으로 꼽히는 DDR(더블 데이터 레이트)5에 적용하고 있는데,
최고 7.2Gbps(초당기가비트) 속도로 이전 DDR4와 비교해 2배 이상 빠르다는 게 삼성전자 설명이다.
삼성전자는 24Gbps GDDR6 D램의 샘플 제품의 생산도 최근 착수했다. GDDR은 그래픽처리장치
(GPU) 전용 D램으로, 처리해야 할 그래픽 관련 데이터 양이 크게 늘어난 최근에 들어 그 중요성이
높아지는 중이다. 일반적으로 중앙처리장치(CPU)용 D램보다 높은 처리 속도를 요구한다.
④ "삼성 반도체 진짜 일 내나" 테슬라에 '공급說' 모락모락 [비즈360](헤럴드경제 김지헌 기자) 8p
삼성전자, 고성능 SSD와 그래픽 D램 등 공급
“내년 1월, 테슬라 사이버트럭에 들어갈 것”
반도체 공급받는 글로벌 제조사 테슬라 說 솔솔
삼성전자가 글로벌 자동차 제조사에 반도체를 공급하며 자율주행 시장에 뛰어들겠다고 예고한 가운데,
내년 1월 테슬라에 탑재할 반도체 출시를 준비 중인 것으로 알려졌다.
최근 차량용 메모리 솔루션 공급 소식도 전해졌는데, 해당 반도체 수주 기업 역시 테슬라일 가능성이
높다는 얘기가 나온다.
20일 외신 등에 따르면 삼성전자는 내년 1월 첫 주에 테슬라에 공급할 차세대 자율주행차용 반도체를
출시할 예정이다.
업계에선 테슬라의 픽업트럭인 ‘사이버 트럭(Cyber truck)’에 이 칩이 탑재될 것으로 보고 있다.
⑤ 日경제보복 딛고 국산화…반도체 소부장株 훨훨(매경 강봉진 기자) 10p
동진쎄미켐 2년 연구 끝에
극자외선 감광액 개발 성공
하락장서도 주가 10% 올라
