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제목 2021.12.3(금) KOVRA NEWS 등록일 2021.12.03 04:53
글쓴이 한국진공기술연구조합 조회 256

 오늘의 뉴스 : 헤드라인 및 주요 뉴스 모음(상세 내용 붙임 참조)


① 반도체 생산능력 확충에 일부 전문가 "2023년 공급과잉 가능성" (매경연합) 1p


하리하란 "수요-공급간 균형점 형성될 것"


세계적인 반도체 공급 부족 사태로 삼성전자와 대만의 TSMC를 비롯한 글로벌

반도체 기업들이 대규모로 생산능력 확충을 추진하는 상황에서 오는 2023

반도체 공급과잉 가능성이 있다는 전문가 지적이 잇따라 나오고 있다.

미국의 투자은행 JP모건의 아시아 기술·미디어 및 통신 연구 공동 책임자인

고쿨 하리하란은 2일 홍콩의 사우스차이나모닝포스트(SCMP)와의 인터뷰에서

2023년에 반도체의 수요-공급간 균형점이 형성될 것이라고 내다봤다.

반도체 시장 전문가인 하리하란은 인터뷰에서 "우리의 견해는 2023년이 되면

일정 수준의 균형점을 회복하거나 심지어는 공급과잉이 일어날 만큼 (반도체의)

충분한 공급이 이뤄질 것이라는 점"이라고 말했다.


다만 하리하란은 "(반도체에 대한수요는 여전히 상대적으로 견조한 상태"이기

때문에 2023년에 큰 폭의 하강(major downturn)이 일어날 것을 기대하지

않는다면서 반도체 산업에서 2% 정도의 수익 감소 가능성이 있다고 말했다.


② 겔싱어 인텔 CEO “美정부미국 반도체 업체에 더 투자해야”(글로벌이코노믹 채명석 기자) 2p

포춘비즈니스테크 연설삼성전자·TSMC 투자 지원 불만 토로
미국서 얻은 IP 유출 막아야…CHIP법 연내 의회 통과 희망


펫 겔싱어 인텔 최고경영자(CEO)는 미국 정부가 삼성전자와 TSMC 

아시아 경쟁국보다 미국 반도체칩 제조업체에 더 많은 투자를 해야 하며,

국내 업체에 더 많은 지적재산권을 제공해야 한다고 주장했다.


또한 국내 업체에 더 많은 지적재산권(IP) 통제권을 부여해야 한다고 주장했다.

닛케이 아시아 보도에 따르면겔싱어 CEO는 지난 1(현지시간미국 캘리포니아주

하프 문 베이에서 열린 ‘포춘 브레인스톰 테크(Fortune Brainstorm Tech)’에


참석해 최근 미국에 투자를 결정한 해외기업에 중앙·지방정부의 지원 방안과 관련한

자신의 불편한 입장을 이같이 토로했다.

-1 인텔미국 반도체 회사들이 TSMC, 삼성보다 우선시 되어야 한다고 말한다 (타이완 뉴스 에릭 창 기자) 5p

(Intel says US chipmakers should be priority over TSMC, Samsung)

Edited by KOVRA Secretariat(원문 참조)


겔싱어는 계속되는 중국군의 괴롭힘으로 대만이 불안정한 곳이라고 주장한다.

(Gelsinger claims Taiwan unstable place due to continued Chinese military harassment)


미국은 TSMC와 삼성 같은 아시아 기업보다 국내 반도체 업체에 더 많은 투자를 해야 한다고

수요일 (12 1인텔 CEO 팻 겔싱어가 말했다.

겔싱어는 캘리포니아 하프 문 베이에서 열린 포춘 브라이언스톰 테크 콘퍼런스 연설에서 반도체

제조 활성화 법안이 계류 중인 가운데 "삼성과 TSMC를 지원해야 한다"고 말하고 미 정부가

마이크론텍사스인스트루먼트인텔 등 미국 기업에도 더 많은 투자를 해야 한다고 말했다고

닛케이가 보도했다.

겔싱어는 CHIPS Act를 거론하고 있는데이 법안은 미국 내 칩 제조업체들에게 할당된 520

달러를 포함하고 있다이 법안은 지난 6월 상원을 통과했지만 하원에서 제자리걸음하고 있다.

겔싱어는 "대만은 안정된 곳이 아니다"며 베이징(중국정부)이 이번주 대만 방공식별구역에

군용기 27대를 보내며 "그것이 당신을 더 편안하게 하나요덜 편하게 하나요?"라고 주장했다.



③ [애널리스트칼럼반도체 장비 투자 계속 늘어난다(한경 박재원 기자) 8p


도현우 NH투자증권 연구원


TSMC가 하이브리드 본딩을 사용하는 3D SoIC(System on Integrated Chip) 기술을 개발 중이다.

이 기술을 통해 기존보다 1/4로 줄어드는 10μ본딩 피치가 가능하다.


20배의 에너지 효율을 통해 10배 이상의 반도체 간 통신속도가 구현된다.


현재 TSMC SoIC 전용 팹을 건설 중이다. 2021년 연말 완공 예정이다. TSMC SoIC 기술을 채택하는

첫번째 기업은 AMD.


AMD는 해당 기술을 활용해 서버용 고성능 칩렛 프로세서를 출시할 계획이다삼성전자는 X-Cube라는

3D 패키징 기술을 개발 중이다. X-Cube는 로직 반도체를 하단에, SRAM을 상단에 위치시키는 기술이다.


상하 반도체는 30µ피치로 µ-범프에 TSV 기술을 사용해 연결한다.

로직 다이에 메모리 칩을 직접 연결한다는 점이 특이하다타 업체들은 인터포저와 실리콘 브릿지를 통해

연결하는 기술을 채택했다.

2023년부터는 EUV 장비보다 가격이 70% 이상 비싼 High NA EUV 장비 매출이 ASML 실적에 기여할

것으로 전망된다.


High NA EUV란 차세대 노광장비 EUV NA(Numerical Aperture) 0.33에서 0.55로 업그레이드한

장비로써, EUV보다 더 미세한 피치의 반도체 공정을 가능케 해주는 장비다.


High NA EUV 장비 1대의 가격은 3,500억 수 준이다아나몰픽 광학 시스템마스크와 웨이퍼의 이동 속도

증가 등이 필요해 EUV 장비보다 1.5배 이상 비싸다현재 사용 중인 ArF 이머전 노광장비보다는 3배 이상

비싸다.

10nm 이하 제조공정에서는 EUV 장비도 멀티 패터닝이 필요하다멀티 패터닝은 큰 비용 상승으로 이어진다.

반면 High NA EUV 8nm 이하의 패턴도 멀티 패터닝 없이 1번에 찍어낼 수 있다.


소자 업체들이 비용 절감을 지속하기 위해 높은 장비 가격에도 불구하고 High NA EUV와 같은 고 성능 장비를

기존 계획 대비 빠르게 도입할 수 밖에 없다


ASML은 올해 첫 High NA EUV 장비 모듈을 조립하고내년에 R&D 용도로 초도 장비를 출하할 계획이다.

2023년 에는 고객사에 처음으로 High-NA EUV 장비가 설치될 전망이다.


이러한 EUV 장비는 과거 대비 마스크페리클설계 시스템포토 레지스트 등 부품 및 재료의 대규모 변화를

요구한다따라서 EUV 장비 양산 본격화는 장비 업계에 큰 수혜로 작용할 것이다.



④ Fed “반도체 활용 늘어 가격 상승 압력 완화” (한경 정인섭 기자) 10p


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