▣ 오늘의 KOVRA 핵심 NEWS(상세 내용 붙임 참조)

□ 오늘의 헤드라인

① 삼성·인텔, 2나노 본격 경쟁 `TSMC 추격` 드라이브 건다 (DT 전혜인 기자) 1p

삼성, TSMC보다 양산 앞당겨
인텔, 내년 하반기 1.8나노 개발

올해 깊은 침체에 빠졌던 글로벌 반도체 산업이 내년에는 

본격 반등을 시작할 것으로 기대되는 가운데, 한국과 대만, 

미국 등 각국을 대표하는 반도체 기업들의 2나노(㎚) 첨단 

반도체 공정 경쟁이 내년부터 본격화될 것으로 예상된다.

25일 업계에 따르면 글로벌 파운드리(반도체 위탁생산) 업계 

1위인 대만 TSMC와 2위인 삼성전자, 그리고 최근 파운드리 

시장 재진입을 시도하고 있는 미국 인텔은 각자 2나노 첨단 

공정 개발에 속도를 내고 있다.

현재 최첨단 양산 가능 기술은 삼성전자와 TSMC가 양산하고 

있는 3나노 공정이다. 

삼성전자가 지난해 6월 3나노 양산을 시작했고, TSMC는 올 

초부터 3나노를 양산하고 있다.

인텔과 삼성은 당장의 수주 확대보다 TSMC보다 먼저 첨단 

공정을 개발하는 데 집중하고 있다. 

업계 1위와 가격 경쟁을 하기보다는 다음 시장을 선점하겠다는 

전략이다.

특히 파운드리 사업 재진입을 시도하고 있는 인텔의 행보가 

공격적이다. 

인텔은 내년 상반기 2나노급 제품인 20A(옹스트롬) 공정을 양산하고, 

1.8나노 제품인 18A도 내년 하반기 개발을 진행할 것이라는 계획을 

밝힌 바 있다.

①-1 ASML, 차세대 EUV 장비 '하이 NA' 첫 출하...인텔 오레곤 팹 적용 (전자 권동준 기자)3p

ASML의 차세대 극자외선(EUV) 노광장비가 첫 출하됐다. 

2나노미터(nm) 이하 초미세 회로를 구현하는데 필요한 하이 NA 장비로, 

인텔 반도체 제조공장(팹)에 적용된다.

21일 ASML은 사회관계망서비스(SNS)에 “최초로 하이 NA EUV 시스템을 

인텔에 배송한다”고 밝혔다. 

장비는 미국 오레곤에 위치한 인텔 DX1 팹에 적용되는 것으로 알려졌다. 

앞서 팻 겔싱어 인텔 CEO는 하이 NA EUV 장비 첫 납품처가 인텔이라고 

공식화한 바 있다.

하이 NA EUV 장비는 기존 EUV 장비의 렌즈 개구수를 0.33에서 0.55로 

끌어올려 초미세 회로를 웨이퍼에 새길 수 있는 노광장비다. 

빛 집광 능력이 높아 훨씬 세밀한 반도체 회로를 그릴 수 있다. 

업계에서는 2nm 이하 초미세 공정에 하이 NA EUV 장비가 필수로 보고 있다.

ASML은 하이 EUV 장비 대량 양산 시점을 이르면 내년이나 2025년으로 

계획하고 있다. 

EUV 장비 납품이 1년에 수십대에 불과해 반도체 제조사 간 하이 NA(NA·Numerical Aperture)