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제목 2019.7.26(금) KOVRA NEWS 등록일 2019.07.26 05:20
글쓴이 한국진공기술연구조합 조회 374

★ 오늘의 뉴스  Headline은 2분기 `어닝 쇼크`를 기록한 SK하이닉스가

D램과 낸드플래시 감산 돌입을 공식화했다는 소식을 꼽을 수 있겠습니다.

 

당초 기대와 달리 전 세계 반도체 시장 부진이 장기화하고, 미·중

무역분쟁에 일본 수출 규제까지 덮쳐 불확실성이 커지면서 사실상 `

 

비상경영 체제`에 돌입한 것으로, 25일 SK하이닉스는 2분기 영업이익이

전년 동기보다 89% 줄어든 6376억원으로 집계됐다고 밝히면서 메모리

 

감산 계획과 투자 재검토 계획을 공식화했다고 전해졌습니다.

 

우선 D램 메모리는 이천 M10 공장의 D램 생산설비를 최근 성장세를

보이고 있는 CIS(CMOS 이미지센서) 양산라인으로 전환하기로  했으며

 

올해 1분기 가동에 들어간 청주 M15 낸드 공장 증설에 필요한 추가

클린룸 확보 시기를 재검토하고, 내년 하반기 준공 예정인 이천 M16 D램

 

공장의 장비 반입 시기도 시장 상황을 고려해 연기하기로 했다 고 전해졌습니다.

 

 

ㅇ 이는 메모리 시장 부진 장기화 조짐과 미·중 무역분쟁 불확실성에다

반도체 핵심 소재에 대한 일본의 수출 규제 등 잇단 악재로 하반기 반등도

 

불투명한 상황이 되면서 대응 조치를 본격화한 것으로 해석되는데, 미국

마이크론에 이어 SK하이닉스가 감산 카드를 꺼내든 것은 수요 둔화에 따른

 

실적 악화가 예상보다 심각한 수준이라고 판단했기 때문으로 해석되고 있습니다.

 

 

□ 다음은 대만 반도체 파운드리(위탁생산)업체 TSMC가 3㎚ 반도체

미세공정 개발이 순조롭게 진행되고 있다고 밝힌 소식입니다.

 

TSMC의 3㎚ 반도체 미세공정은 현행 7㎚ 반도체 공정에 사용되는

EUV(극자외선, Extreme Ultraviolet)와 DUV(단자외선, Deep Ultraviolet)를

 

함께 사용하는 것으로 알려졌는데, 이는 5㎚ 반도체 미세공정과는 다른,

완전히 새로운 공정 기술로 구성될 전망이라고 밝혔습니다.

 

앞서 2018년 삼성전자 역시 3㎚ 반도체 미세공정 개발 계획을 밝혔는데,

7㎚ 반도체 미세공정에 EUV를 도입 후 5㎚ 및 4㎚ 공정 제품을 각각 2019년과

 

2020년에 생산하고 이어서 3㎚ 반도체 미세공정을 새로운 구조로 설계해

2022년까지 생산한다는 목표였는데 

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