세계 파운드리(반도체 위탁생산) 업계의 최강자인 대만 TSMC(台積電)가
업계 2위인 삼성전자의 추격을 따돌리려고 최첨단 2㎚(나노미터=10억분의 1m)
공정 도입에 속도를 내는 것으로 전해졌다.
대만 연합보(聯合報)는 5일 TSMC가 올해 4분기 차세대 GAA(Gate-All-Around)
기반의 2㎚ 공정이 적용된 반도체 시험 생산팀을 발족하기로 결정했다고 전하면서
TSMC의 선진 제조 공정에 중대 돌파구가 마련되게 됐다고 평가했다.
GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적은 줄이고 소비 전력은 감소시키면서
성능은 높인 신기술로 파운드리 업계 1·2위인 TSMC와 삼성전자가 경쟁적으로
도입을 서두르고 있다.
TSMC는 업계에서 가장 먼저 2㎚ 공정 반도체를 양산하기 위해 신규 공장 부지
마련에 미리 들어간 것으로 알려졌다.
연합보는 웨이저자(魏哲家) TSMC 총재가 루슈옌(盧秀燕) 타이중(臺中) 시장을
만나는 등 TSMC가 이미 공장 부지 확보를 위해 관계 당국과 접촉 중이라고
보도했다.
② 삼성전자,2025년 2나노 공정에서 TSMC와 정면승부 예고(비즈니스 코리아 김은진 기자) 3p
edited by KOVRA Secretariat(원문 참조)
